স্কয়ার পিস ৩৪এস ৪৭১ এমওভি ইলেকট্রনিক কম্পোনেন্টস, মাল্টি-পার্পাস জিংক অক্সাইড এসপিডি ভেরিস্টর

স্কয়ার পিস ৩৪এস ৪৭১ এমওভি ইলেকট্রনিক কম্পোনেন্টস, মাল্টি-পার্পাস জিংক অক্সাইড এসপিডি ভেরিস্টর

বৈশিষ্ট্য

সুরক্ষা বৈশিষ্ট্য, যখন আঘাতের উৎসটির আঘাতের শক্তি সীমাবদ্ধ মান অতিক্রম করে না,ভেরিস্টরের সীমিত ভোল্টেজটি সুরক্ষিত লক্ষ্যের গ্রহণযোগ্য প্রভাব সহ্য করার ভোল্টেজ অতিক্রম করতে পারে না. প্রভাব প্রতিরোধের বৈশিষ্ট্য, অর্থাৎ প্রভাব বর্তমান, প্রভাব শক্তি যা ভারিস্টর নিজেই গ্রহণ করতে পারে, এবং ভারসাম্য শক্তি যখন প্রতিটি প্রভাব ধারাবাহিকভাবে উত্পন্ন হয়।
সেবা জীবন দুটি বৈশিষ্ট্য আছে, এক অবিচ্ছিন্ন কাজ ভোল্টেজ জীবন, অর্থাৎ,নির্দিষ্ট পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় সিস্টেমের ভোল্টেজের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী ভারিস্টরটি স্থিতিশীলভাবে কাজ করতে সক্ষম হওয়া উচিতদ্বিতীয়টি হল শক বছরের সংখ্যা, যা নিরাপদে শক একটি নির্দিষ্ট পরিসীমা গ্রহণ করতে পারে।"খোলার এবং বন্ধ করার অংশ" এর প্রতিরক্ষামূলক প্রভাব ছাড়াও, এটি একটি সাধারণ অতিরিক্ত প্রভাব নিয়ে আসবে, যা তথাকথিত "দ্বিতীয় প্রভাব", এবং এটি সিস্টেমের অনলাইন কাজের ফাংশন হ্রাস করা উচিত নয়।এই সময়ে তিনটি মূল বিষয় বিবেচনা করা উচিত, একটি হল ভেরিস্টরের ক্যাপাসিট্যান্স, অন্যটি হল সিস্টেমের ভোল্টেজের অধীনে ফুটো প্রবাহ,এবং তৃতীয়টি হল পাওয়ার সাপ্লাইয়ের অভ্যন্তরীণ প্রতিবন্ধকতা সংযুক্ত করার মাধ্যমে অন্যান্য সার্কিটগুলিতে ভারিস্টরের কোণ মডুলেশন বর্তমানের প্রভাব।.

প্রয়োগ

1. ভারিস্টর ভোল্টেজঃ একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রা এবং ডিসিতে ভারিস্টর জুড়ে ভোল্টেজ মানকে বোঝায় (সাধারণত 1mA বা 0.1mA) । V1mA বা V0.1mAo হিসাবে রেকর্ড করা হয়
2সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন ভোল্টেজঃ refers to the maximum effective value of sinusoidal AC voltage or the maximum DC voltage value that can be continuously applied to both ends of the varistor for a long time under the specified ambient temperature
3. সীমাবদ্ধ ভোল্টেজঃ ভারিস্টরের উভয় প্রান্তে সর্বাধিক পিক ভোল্টেজকে বোঝায় যখন একটি নির্দিষ্ট ওভারজাক বর্তমান (8,20μs) এর মধ্য দিয়ে যায়।
4. নামমাত্র শক্তিঃ নির্দিষ্ট পরিবেশে তাপমাত্রার অধীনে ভারিস্টরের উপর প্রয়োগ করা যেতে পারে এমন সর্বাধিক গড় প্রভাব শক্তিকে বোঝায়।
5. সর্বোচ্চ শক্তিঃ সর্বাধিক প্রভাব শক্তি যা ভারিস্টরের উপর প্রয়োগ করা যেতে পারে শর্তে যে ভারিস্টর ভোল্টেজ ± 10% এর বেশি পরিবর্তন হয় না এবং ইমপ্লান্ট বর্তমান তরঙ্গরূপ 10 হয়,1000μs বা 2ms.
6. বর্তমান ক্ষমতা (সর্বোচ্চ ঢোকার বর্তমান)