|
পণ্যের বিবরণ:
|
| পণ্যের নাম: | এসএমডি চিপ ভ্যারিস্টর | পার্ট নম্বর: | 5D সিরিজ 05D271/05D431K/05D471K/05D511K/05D561K/05D621K |
|---|---|---|---|
| ভ্যারিস্টার ভোল্টেজের সহনশীলতা: | ±10% | ভ্যারিস্টার ভোল্টেজ (v): | V1mA=270-620V 271-681V |
| ভ্যারিস্টর ভোল্টেজ এসি: | 175-385V | Varistor ভোল্টেজ ডিসি: | 225-510V |
| সর্বোচ্চ অনুমোদিত ভোল্টেজ: | ডিসি: ২৫৫-৫১০ ভি | Max.fiow সার্কুলেশন এনার্জি (40 বার): | ১ কেভি/০.৫ কেএ |
| বিদ্যুৎ সল্পতা: | ≤20 | সর্বোচ্চ ক্ল্যাম্পিং ভোল্টেজ: | IP: 5A) Vp: 475-1050 (V) |
| শক্তি (10/1000us): | 25-72 (জে) | নামমাত্র শক্তি: | 0.1 (w) |
| সাধারণ ক্যাপাসিট্যান্স Refererne: | 75-50 (pf) | ||
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | উচ্চ-শক্তি চিপ ভারিস্টর 05D 271,উচ্চ-শক্তি চিপ ভারিস্টর,৫১০ ভি এস এম ডি চিপ ভারিস্টর |
||
1 অ্যাপ্লিকেশন এলাকা
1.1 LED, DOB LED
1.২ বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
1.৩ নিরাপত্তা সরঞ্জাম
1.4 যোগাযোগ সরঞ্জাম
1.5 গৃহস্থালী যন্ত্রপাতি
২ পণ্যের বৈশিষ্ট্য
2.1 RoHS প্রয়োজনীয়তা পূরণ
2.২ এসএমডি প্যাকেজিং, অটোমেশন জন্য সুবিধাজনক
2.3 ব্যবহার শ্রম সঞ্চয় করে এবং উচ্চ খরচ কর্মক্ষমতা আছে
2.4 উচ্চ-শক্তি চাপ-সংবেদনশীল চিপ ব্যবহার করে, এটি উচ্চ শক্তি শোষণ ঘনত্ব এবং ভাল পালস কর্মক্ষমতা আছে।
2.5 পারফরম্যান্স দীর্ঘ সময় ধরে স্থিতিশীল থাকে
2.6 বিস্তৃত অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমাঃ -৪০°সি ঊর্ধ্বতন ১২৫°সি
2.7 নিরাপত্তা সার্টিফিকেশনঃ UL/cUL, TUV, CQC
3পণ্যের কোডিংয়ের নিয়ম
4 পণ্য সনাক্তকরণঃএলকে
5 মাত্রা
5.1পণ্যের আকার এবং উপস্থিতি(এককঃ মিমি)
| মডেল স্পেসিফিকেশন | F±03 | W±0.2 | d±0.3 | T±0.2 | t±0.2 | L±0.3 | রঙ |
| LKVDRH-05D271K | 5.75 | 2.5 | 5.0 | 0.3 | 1.4 | 2 | নীল |
| LKVDRH-05D431K | 5.75 | 2.5 | 5.0 | 0.3 | 2.4 | 2 | ল্যাভেন্ডার |
| LKVDRH-05D471K | 5.75 | 2.5 | 5.0 | 0.3 | 2.4 | 2 | সাদা |
| LKVDRH-05D511K | 5.75 | 2.5 | 5.0 | 0.3 | 2.5 | 2 | হালকা হলুদ |
| LKVDRH-05D561K | 5.75 | 2.5 | 5.0 | 0.3 | 2.5 | 2 | গোলাপী |
| LKVDRH-05D621K | 5.75 | 2.5 | 5.0 | 0.3 | 2.5 | 2 | নীল |
| LKVDRH-07D271K | 6.75 | 2.8 | 7.0 | 0.3 | 1.4 | 2 | নীল |
| LKVDRH-07D431K | 6.75 | 2.8 | 7.0 | 0.3 | 2.4 | 2 | ল্যাভেন্ডার |
| LKVDRH-07D471K | 6.75 | 2.8 | 7.0 | 0.3 | 2.4 | 2 | সাদা |
| LKVDRH-07D511K | 6.75 | 2.8 | 7.0 | 0.3 | 2.5 | 2 | হালকা হলুদ |
| LKVDRH-07D561K | 6.75 | 2.8 | 7.0 | 0.3 | 2.5 | 2 | গোলাপী |
| LKVDRH-07D621K | 6.75 | 2.8 | 7.0 | 0.3 | 2.5 | 2 | নীল |
| LKVDRH-10D271K | 8.25 | 3.0 | 10.0 | 0.3 | 1.4 | 2 | নীল |
| LKVDRH-10D431K | 8.25 | 3.0 | 10.0 | 0.3 | 2.4 | 2 | ল্যাভেন্ডার |
| LKVDRH-10D471K | 8.25 | 3.0 | 10.0 | 0.3 | 2.4 | 2 | সাদা |
| LKVDRH-10D511K | 8.25 | 3.0 | 10.0 | 0.3 | 2.5 | 2 | হালকা হলুদ |
| LKVDRH-10D561K | 8.25 | 3.0 | 10.0 | 0.3 | 2.5 | 2 | গোলাপী |
| LKVDRH-10D621K | 8.25 | 3.0 | 10.0 | 0.3 | 2.5 | 2 | নীল |
5.2প্যাডের আকারের নকশা প্রস্তাবনা
| মডেল স্পেসিফিকেশন | এ | বি | সি | ডি | ই |
| LKVDRH-05D সিরিজ | 2.5 | 3.5 | 5.75 | 2.7 | 5.0 |
| LKVDRH-07D সিরিজ | 2.5 | 3.8 | 6.75 | 3.3 | 7.0 |
| LKVDRH-10D সিরিজ | 2.5 | 4 | 8.25 | 4.0 | 10.0 |
6 প্রধান বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য
|
মডেল বিশেষ উল্লেখ |
ভারিস্টর ভোল্টেজ@১mA |
সর্বাধিক অপারেটিং ভোল্টেজ |
ফুটো প্রবাহ | নামমাত্র শক্তি | ক্যাপাসিটেন্স মান | সর্বাধিক সীমা ভোল্টেজ @8/20μs | সর্বাধিক ইনরুশ কারেন্ট @8/20μs | সর্বাধিক প্রবাহ ক্ষমতা | |||
| ভিডিসি | ভিএসি | ভিডিসি | μA | ডব্লিউ | পিএফ | ভিডিসি | আইপি-এ | ১টা ১টা সময় | ১২ঃ২বার | কেভি/কেএ | |
| LKVDRH-5D271K | ২৭০±১০% | 175 | 225 | ≤20 | 0.10 | 75 | 475 | 5 | 800 | 500 | 1.০/০5 |
| LKVDRH-5D431K | ৪৩০±১০% | 275 | 350 | ≤20 | 0.10 | 60 | 745 | 5 | 800 | 500 | 1.০/০5 |
| LKVDRH-5D471K | ৪৭০±১০% | 300 | 385 | ≤20 | 0.10 | 55 | 810 | 5 | 800 | 500 | 1.০/০5 |
| LKVDRH-5D511K | ৫১০±১০% | 320 | 410 | ≤20 | 0.10 | 55 | 875 | 5 | 800 | 500 | 1.০/০5 |
| LKVDRH-5D561K | ৫৬০±১০% | 350 | 450 | ≤20 | 0.10 | 50 | 960 | 5 | 800 | 500 | 1.০/০5 |
| LKVDRH-5D621K | ৬২০±১০% | 385 | 510 | ≤20 | 0.10 | 50 | 960 | 5 | 800 | 500 | 1.০/০5 |
| LKVDRH-7D271K | ২৭০±১০% | 175 | 225 | ≤20 | 0.25 | 150 | 455 | 10 | 1750 | 1250 | 2.০/১।0 |
| LKVDRH-7D431K | ৪৩০±১০% | 275 | 350 | ≤20 | 0.25 | 100 | 745 | 10 | 1750 | 1250 | 2.০/১।0 |
| LKVDRH-7D471K | ৪৭০±১০% | 300 | 385 | ≤20 | 0.25 | 90 | 775 | 10 | 1750 | 1250 | 2.০/১।0 |
| LKVDRH-7D511K | ৫১০±১০% | 320 | 410 | ≤20 | 0.25 | 85 | 845 | 10 | 1750 | 1250 | 2.০/১।0 |
| LKVDRH-7D561K | ৫৬০±১০% | 350 | 450 | ≤20 | 0.25 | 80 | 925 | 10 | 1750 | 1250 | 2.০/১।0 |
| LKVDRH-7D621K | ৬২০±১০% | 385 | 510 | ≤20 | 0.25 | 80 | 1025 | 10 | 1750 | 1250 | 2.০/১।0 |
| LKVDRH-10D271K | ২৭০±১০% | 175 | 225 | ≤20 | 0.40 | 350 | 455 | 25 | 3500 | 2500 | 4.০/২।0 |
| LKVDRH-10D431K | ৪৩০±১০% | 275 | 350 | ≤20 | 0.40 | 250 | 745 | 25 | 3500 | 2500 | 4.০/২।0 |
| LKVDRH-10D471K | ৪৭০±১০% | 300 | 385 | ≤20 | 0.40 | 230 | 775 | 25 | 3500 | 2500 | 4.০/২।0 |
| LKVDRH-10D511K | ৫১০±১০% | 320 | 410 | ≤20 | 0.40 | 210 | 845 | 25 | 3500 | 2500 | 4.০/২।0 |
| LKVDRH-10D561K | ৫৬০±১০% | 350 | 450 | ≤20 | 0.40 | 200 | 925 | 25 | 3500 | 2500 | 4.০/২।0 |
| LKVDRH-10D621K | ৬২০±১০% | 385 | 510 | ≤20 | 0.40 | 190 | 1025 | 25 | 3500 | 2500 | 4.০/২।0 |
7 Rপ্রাপ্যতা
| প্রকার | প্রকল্প | পরীক্ষার পদ্ধতি | দক্ষতার প্রয়োজনীয়তা |
| 7.1 | বাহ্যিক | চাক্ষুষ পরিদর্শন | পৃষ্ঠটি উজ্জ্বল এবং মসৃণ, মুদ্রণটি সোজা এবং পরিষ্কার, এবং কোনও দৃশ্যমান ক্ষতি নেই যা ব্যবহারযোগ্যতা হ্রাস করে। |
| 7.2 | টার্মিনাল শক্তি | চাপ-সংবেদনশীল ওয়েল্ডিং অংশের টার্মিনাল এবং তাপীয় দেহের মধ্যে 10N এর একটি অক্ষীয় টান শক্তি প্রয়োগ করুন 10S। |
যান্ত্রিক ক্ষতি নেই ভারিস্টর ভোল্টেজের পরিবর্তন হার ≤ 5% |
| 7.3 | কম্পন পরীক্ষা | কম্পনের ফ্রিকোয়েন্সি ১০ হার্জ-৫৫ হার্জ-১০ হার্জ; ব্যাপ্তি হল ০ এর সহজ হারমোনিক কম্পন।75. GB10193-88 এর 4.16 অনুসরণ করুন |
যান্ত্রিক ক্ষতি নেই ভারিস্টর ভোল্টেজের পরিবর্তন হার ≤ 5% |
| 7.4 | সোল্ডারযোগ্যতা | GB2423-28 টেস্ট Ta অনুযায়ী, পরীক্ষার জন্য লোডিং বাথ পদ্ধতি ব্যবহার করা হয়, তাপমাত্রা 260±5°C; চিপ চাপ-সংবেদনশীল টার্মিনালের শেষটি লোডারে নিমজ্জিত করা হয়,নিমজ্জন সময় 2±0.৫ সেকেন্ড; নিমজ্জনের গভীরতা ২±০.৫ মিমি। | টার্মিনালগুলিতে কমপক্ষে ৯০% অবিচ্ছিন্ন নতুন লোডিং |
| 7.5 | ওয়েল্ডিং তাপ প্রতিরোধী | GB2423-29 পরীক্ষা Tb অনুযায়ী একটি পরীক্ষা পরিচালনা করুন। চাপ-সংবেদনশীল টার্মিনালের শেষটি 260 ± 5 °C তাপমাত্রায় এবং 10 ± 1 সেকেন্ডের নিমজ্জন সময় জুড়ে লোডারে ডুব দিন।৪-৫ ঘন্টা রুমের তাপমাত্রায় রেখে দিন, শূন্য শক্তি প্রতিরোধের মান পুনরায় পরিমাপ করুন। |
যান্ত্রিক ক্ষতি নেই ভারিস্টর ভোল্টেজের পরিবর্তন হার ≤ 5% |
| 7.6 | উচ্চ তাপমাত্রা সঞ্চয় | এটিকে 125 ± 2 °C এ 1000 ঘন্টা লোড ছাড়াই রেখে, এটিকে ঘরের তাপমাত্রা এবং আর্দ্রতায় নিয়ে যান, এটিকে 1 ঘন্টার বেশি এবং 2 ঘন্টার মধ্যে ছেড়ে দিন এবং এর বৈশিষ্ট্যগুলি পরিমাপ করুন। |
যান্ত্রিক ক্ষতি নেই ভারিস্টর ভোল্টেজের পরিবর্তন হার ≤ 5% |
| 7.7 | উচ্চ তাপমাত্রা লোড | 125±2°C এ, সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন কাজের ভোল্টেজ প্রয়োগ করুন, 90 মিনিটের জন্য শক্তি চালু করুন, এবং 30 মিনিটের জন্য শক্তি বন্ধ করুন। মোট 1000 ঘন্টা পরে, এটি রুম তাপমাত্রা এবং আর্দ্রতা নিতে,১ ঘণ্টার বেশি সময় ধরে এবং ২ ঘণ্টার মধ্যে রেখে দিন, এবং এর বৈশিষ্ট্যগুলি পরিমাপ করুন। |
যান্ত্রিক ক্ষতি নেই ভারিস্টর ভোল্টেজের পরিবর্তন হার ≤10% |
8 পলস রেজিস্ট্যান্স পারফরম্যান্স টেস্ট পদ্ধতি
8.1সর্বাধিক ইনরুশ বর্তমান (8/20μs বজ্রপাত তরঙ্গ)
পরীক্ষামূলক পদ্ধতিঃ ব্যাচের নম্বর থেকে ১০টি চিপ ভারিস্টর নিয়ে দুটি গ্রুপ বের করুন এবং ভারিস্টর ভোল্টেজ এবং ফুটো প্রবাহের পরামিতি পরীক্ষা করুন।এক গ্রুপ একটি পিক বর্তমান সঙ্গে প্রয়োগ করা হয় I1 একবার বজ্রপাত, এবং অন্য গ্রুপটি একটি শীর্ষ বর্তমান I2 বজ্রপাতের সাথে দুবার প্রয়োগ করা হয় (60 সেকেন্ডের ব্যবধান) এবং শীতল হওয়ার পরে নমুনার চাপ-সংবেদনশীল পরামিতিগুলি পরীক্ষা করা হয়। পরীক্ষার পরে,নমুনার চেহারাতে কোন দৃশ্যমান ক্ষতি নেই, একটি ভারিস্টর ভোল্টেজ পরিবর্তন হার ≤10%, পরীক্ষার পরে একটি ফুটো বর্তমান ≤30μA এবং একটি অ-রৈখিক সহগ ≥20।
8.2সর্বাধিক প্রবাহ ক্ষমতা (8/20 -1.2/50μs সমন্বিত তরঙ্গ)
পরীক্ষামূলক পদ্ধতিঃ ব্যাচ নম্বর থেকে ১০ টি চিপ ভারিস্টর বের করুন, ভারিস্টরের পরামিতি পরীক্ষা করুন, apply combined wave pulses with the open-circuit voltage and short-circuit current peaks respectively being the maximum current capacity voltage/current values 40 times (the interval between two times is 60 seconds, প্রতি ৫ বার পালস সিগন্যালের দিক পরিবর্তন করে) এবং শীতল হওয়ার পর নমুনার চাপ-সংবেদনশীল পরামিতি পরীক্ষা করে।নমুনার চেহারাতে কোন দৃশ্যমান ক্ষতি নেই, একটি ভারিস্টর ভোল্টেজ পরিবর্তন হার ≤10%, একটি পরীক্ষার পরে ফুটো বর্তমান ≤50μA এবং একটি অ-রৈখিক সহগ ≥20।
9 প্যাকিং
9.১ টেপ প্যাকেজিং আকার(ইউনিট: মিমি)
9.1.১৫ডি সিরিজ
| প্রকার | W±0.3 | E±01 | F±01 | T±0.1 | পিনঃ০।1 | পি0±0.1 | পি2±0.1 | ডি0±0.1 | এ0±0.1 | এ1±0.1 | কে0±0.1 | বি0±0.1 |
|
৫ ডি সিরিজ
|
24.00 | 1.75 | 11.50 | 0.35 | 8.00 | 4.00 | 2.00 | Φ১।50 | 5.35 | 2.85 | 3.40 | 9.80 |
9.1.27ডি সিরিজ
| প্রকার | W±0.3 | E±01 | F±01 | T±0.1 | পিনঃ০।1 | পি0±0.1 | পি2±0.1 | ডি0±0.1 | এ0±0.1 | এ1±0.1 | কে0±0.1 | বি0±0.1 |
|
৭ ডি সিরিজ
|
24.00 | 1.75 | 11.50 | 0.35 | 12.00 | 4.00 | 2.00 | Φ১।50 | 7.10 | 3.20 | 3.40 | 12.00 |
9.1.310ডি সিরিজ
| প্রকার | W±0.3 | E±01 | F±01 | T±0.1 | পিনঃ০।1 | পি0±0.1 | পি2±0.1 | ডি0±0.1 | এ0±0.1 | এ1±0.1 | কে0±0.1 | বি0±0.1 |
|
10ডি সিরিজ
|
24.00 | 1.75 | 11.50 | 0.35 | 16.00 | 4.00 | 2.00 | Φ১।50 | 10.10 | 3.40 | 3.40 | 14.65 |
9.২ প্যাকেজিং পরিমাণ
| পণ্যের সংখ্যা | LKVDRH-05D সিরিজ | LKVDRH-07D সিরিজ | LKVDRH-10D সিরিজ |
| একক রোলের সংখ্যা | 3000 পিসি/প্লেট | 2000PCS/প্লেট | 1500 পিসি/প্লেট |
| রিলের আকার | ১৫ ইঞ্চি | ১৫ ইঞ্চি | ১৫ ইঞ্চি |
10 সাবধানতা
10.1সিঅপ্রচলিত
■ এলকেভিডিআরএইচ এলইডি লাইট, বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি, নিরাপত্তা সরঞ্জাম, যোগাযোগ সরঞ্জাম, গৃহস্থালী যন্ত্রপাতি এবং অন্যান্য পণ্যগুলির জন্য উপযুক্ত।ডিজাইন পর্যায়ে কোম্পানির অনুমতি ছাড়া এটি অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যবহার করা উচিত নয়।.
■ চিপ ভারিস্টরের নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করার জন্য, নকশা পর্যায়ে চরম কাজের অবস্থা বিবেচনা করা উচিত এবং একটি নির্দিষ্ট মার্জিন ছেড়ে দেওয়া উচিত।
■ ভারিস্টর চিপের প্রান্তটি কমপক্ষে ২.৫ মিমি অন্য পরিবাহী উপাদানগুলির থেকে দূরে থাকা উচিত। যদি স্থানটি অনুমতি দেয় তবে দূরত্ব যত বেশি হবে তত ভাল।
■ পণ্যের নিরাপত্তা ও নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করতে,এটা সুপারিশ করা হয় যে চিপ শরীরের বৃত্তাকার ইলেকট্রোড এল লাইন হিসাবে ব্যবহার করা হয় এবং বর্গাকার হার্ডওয়্যার টার্মিনাল প্যাড ডিজাইন করার সময় এন লাইন হিসাবে ব্যবহার করা হয়.
■ সিলিকন ব্রিজের ক্ষতির সম্ভাবনা কমাতে, একটি সংশোধিত ডিসি সার্কিটে ভেরিস্টর ইনস্টল করার পরামর্শ দেওয়া হয় না।
10.২ ব্যবহারের পরিবেশ
■ পরিবেশে তাপমাত্রাঃ -40-125°C
■ আপেক্ষিক আর্দ্রতাঃ ≤95%
■ বায়ুমণ্ডলীয় চাপঃ ৮৬-১০৬ কেপিএ
■ কম্পনের ফ্রিকোয়েন্সিঃ ১০-৫০ হার্জ
■ ত্বরণঃ 98m/S2
10.৩ সঞ্চয়স্থান
■ ভারিস্টরের মূল প্যাকেজিংয়ে সংরক্ষণ করা উচিত এবং সংরক্ষণের জন্য প্যাকেজিং খুলবেন না;
■ মূল প্যাকেজিংয়ের সঞ্চয় শর্তঃ সঞ্চয় তাপমাত্রা -২৫ °C থেকে +৪৫ °C, গড় বার্ষিক আপেক্ষিক আর্দ্রতা ≤৭৫%, সর্বোচ্চ ৯৫% অতিক্রম করে না;
■ চিপ ভারিস্টরগুলির জন্য, সঞ্চয়, হ্যান্ডলিং এবং প্রক্রিয়াকরণের সময় ভারিস্টর পৃষ্ঠের দূষণ এড়ানো উচিত;
■ ভারিস্টরগুলিকে অন্য ক্ষতিকারক পরিবেশে সংরক্ষণ করা উচিত নয় যা তাদের কার্যকারিতা প্রভাবিত করতে পারে;
■ পণ্য গ্রহণের পর ৬ মাসের মধ্যে ভারিস্টরটি ব্যবহার করুন।
10.4 পরিবহন
■ পরিবহনের সময় ভারিস্টর পড়ে যাওয়া এবং সংঘর্ষ এড়ানো উচিত;
■ ভারিস্টর পরিচালনা করার সময় গ্লাভস ব্যবহার করার পরামর্শ দেওয়া হয়;
■ চিপ টাইপ ভারিস্টরের জন্য, পরিবহনের সময় ভারিস্টরের রূপা পৃষ্ঠের দূষণ এড়ানো উচিত।
10.5 ঢালাই (যদি প্রয়োজন হয়)
■ মাঝারি ও নিম্ন তাপমাত্রার লোডার পেস্টকে লোডিং উপাদান হিসাবে ব্যবহার করার পরামর্শ দেওয়া হয়;
■ অপর্যাপ্ত প্রিহিটিং ভারিস্টর সিরামিক চিপে ফাটল সৃষ্টি করতে পারে;
■ সুপারিশ করা ওয়েল্ডিং তাপমাত্রা 255±5°C। অত্যধিক ওয়েল্ডিং তাপমাত্রা ভারিস্টর ইলেকট্রোড সিলভার ক্ষয় করতে পারে;
■ দ্রাবক মধ্যে নিমজ্জন দ্বারা দ্রুত শীতল করার পরামর্শ দেওয়া হয় না;
■ লোডিংয়ের পর ফ্লাক্স সম্পূর্ণরূপে অপসারণ করার পরামর্শ দেওয়া হয়।
দ্যQV0402~2220H সিরিজের SMD ভারিস্টর উপাদানএটি একটি সারফেস মাউন্ট করা ভারিস্টর ডিভাইস যা 0402 থেকে 2220 পর্যন্ত বিভিন্ন আকারে পাওয়া যায় এবং 12V থেকে 102V পর্যন্ত একটি ভারিস্টর ভোল্টেজ @ 1mA DC সহ।এই পৃষ্ঠতল মাউন্ট করা ভারিস্টর উপাদানটিও 1206 0 এর একটি বাহ্যিক মাত্রা প্রদান করে.12×0.06 (3.2×1.6) এবং 1812 0.18×0.12 (4.5×3.2) ইঞ্চি (মিমি) । এটি 20 থেকে 1200 (এ) এর শীর্ষ প্রবাহ (8/20μs) আইপি সহ আসে, যা এটিকে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।এর চমৎকার বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার সাথে, এই কিউভি সিরিজ এসএমডি ভেরিস্টর এলিমেন্টটি যে কোনও পৃষ্ঠ-মাউন্ট করা ভেরিস্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি দুর্দান্ত পছন্দ।
| প্যারামিটার | মূল্য |
|---|---|
| পণ্যের নাম | এসএমডি চিপ ভেরিস্টর |
| ভারিস্টর ভোল্টেজ @ 1mA DC | 12V-102V |
| আকার | 0402-2220 |
| সর্বোচ্চ ওয়ার্কিং ভোল্টেজ (ডিসি) | 5.5V-85V |
| সর্বোচ্চ ওয়ার্কিং ভোল্টেজ (এসি) | 4V-60V |
| সর্বাধিক ক্ল্যাম্পিং ভোল্টেজ (8/20μs) | Vc: 24-175 (V) IP: 20-5 ((A) |
| পার্ট নম্বর | QV0402 2220H সিরিজ |
| সাধারণ ক্যাপাসিট্যান্স @ 1MHz | Cp: 150- 5 ((J) |
| পিক স্ট্রিম (8/20μs) | আইপিঃ ২০-১২০০ (এ) |
| বাহ্যিক মাত্রা (ইঞ্চি/মিমি) | 1206 0.12×0.06 (3.2×1.6) 1812 0.18×0.12 (4.5×3.2) |
| ভারিস্টর ভোল্টেজের সহনশীলতা | ±10% ±15% |
লিন কুন এসএমডি ভারিস্টর একটি পৃষ্ঠ-মাউন্ট ভারিস্টর ডিভাইস, যা বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এটি উচ্চমানের এবং নির্ভরযোগ্য পারফরম্যান্স সহ একটি পৃষ্ঠ-মাউন্ট ভারিস্টর উপাদান।লিন কুনের ব্র্যান্ড নাম UL, ভিডিই, এবং সিএসএ সার্টিফিকেট এবং সর্বনিম্ন অর্ডার পরিমাণ 4000/3000/2000pcs / প্লেট।এই এসএমডি ভারিস্টরটির 8/20μs এর জন্য 20-1200 (এ) এর একটি পিক স্ট্রিম এবং 8/20μs এর জন্য 24-175 (ভি) এর সর্বাধিক ক্ল্যাম্পিং ভোল্টেজ রয়েছেএর পার্ট নম্বর হল QV0402 2220H সিরিজ এবং সর্বোচ্চ ওয়ার্কিং ভোল্টেজ DV: 5.5V-85V এবং AC: 4V-60V, এবং ভারিস্টর ভোল্টেজ @ 1mA DC হল 12V-102V।এসএমডি ভ্যারিস্টরের দাম আলোচনাযোগ্য এবং এর দ্রুত ডেলিভারি সময় 5-7 দিন. অর্থ প্রদানের শর্তগুলি হল টি / টি, পেপাল এবং ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন। এসএমডি ভারিস্টরের সরবরাহ ক্ষমতা 1000000 পিসি / মাস।
ব্র্যান্ড নামঃ লিন কুন
মডেল নম্বরঃ এসএমডি সারফেস মাউন্ট ভারিস্টর
উৎপত্তিস্থল: চীন
সার্টিফিকেশনঃ UL, VDE, CSA
ন্যূনতম অর্ডার পরিমাণঃ 4000/3000/2000pcs/plate
দাম: আলোচনাযোগ্য
প্যাকেজিংয়ের বিবরণঃ 4000/3000/2000 পিসি/প্লেট
ডেলিভারি সময়ঃ ৫-৭ দিন
অর্থ প্রদানের শর্তাবলীঃ টি/টি, পেপাল, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন
সরবরাহ ক্ষমতাঃ 1000000PCS/মাস
ভারিস্টর ভোল্টেজ @ 1mA DC: 12V-102V
সর্বাধিক ক্ল্যাম্পিং ভোল্টেজ (8/20μs): Vc: 24-175 (V) IP: 20-5 ((A)
ইঞ্চি (মিমি) বাহ্যিক মাত্রা L × W: 1206 0.12 × 0.06 (3.2 × 1.6) 1812 0.18 × 0.12 (4.5 × 3.2)
পিক স্ট্রিম (8/20μs): আইপিঃ 20- 1200 (A)
ভারিস্টর ভোল্টেজের সহনশীলতাঃ ±10%, ±15%
এসএমডি ভারিস্টর প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা
আমরা আমাদের গ্রাহকদের SMD Varistor পণ্যগুলির জন্য প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা প্রদান করি। আমাদের সহায়তা দলটি পণ্য বিশেষজ্ঞদের সাথে কর্মরত যারা আপনার প্রশ্নের উত্তর দিতে উপলব্ধ,পণ্য তথ্য প্রদান, এবং সমস্যা সমাধান এবং ইনস্টলেশনের জন্য সাহায্য।
আমাদের গ্রাহকদের জন্য প্রযুক্তিগত নথি এবং সংস্থানগুলির একটি গ্রন্থাগার রয়েছে, যার মধ্যে ব্যবহারকারীর ম্যানুয়াল, পণ্য ডেটা শীট এবং অ্যাপ্লিকেশন নোট অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।আমাদের টিম ব্যক্তিগতকৃত প্রযুক্তিগত সহায়তা প্রদানের জন্য উপলব্ধ.
আমরা সমস্ত এসএমডি ভারিস্টর পণ্যের জন্য সম্পূর্ণ সন্তুষ্টি গ্যারান্টি প্রদান করি। আপনি যদি আপনার ক্রয়ের সাথে সম্পূর্ণ সন্তুষ্ট না হন, আমরা আপনার জন্য সেরা সমাধান খুঁজে পেতে কাজ করব।
এসএমডি ভারিস্টর প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
এসএমডি ভারিস্টরটি আর্দ্রতা-প্রতিরোধী এবং সিলযুক্ত ব্যাগে প্যাকেজ করা হয়। ব্যাগগুলি তারপরে শিপিংয়ের জন্য একটি কার্ডবোর্ড বাক্সে রাখা হয়। বাক্সটি পণ্যের নাম এবং অংশ নম্বর দিয়ে চিহ্নিত করা হয়।তারপর বাক্সটি প্যাকিং টেপ দিয়ে সুরক্ষিত করা হয়, একটি বাইরের corrugated শিপিং বাক্সে স্থাপন করা হয়, এবং গন্তব্য ঠিকানা দিয়ে লেবেল।
ব্র্যান্ড নামঃলিন কুন
মডেল নম্বরঃএসএমডি সারফেস মাউন্ট ভেরিস্টর
উৎপত্তিস্থল:চীন
সার্টিফিকেশনঃইউএল,ভিডিই,সিএসএ
ন্যূনতম অর্ডার পরিমাণঃ4000/3000/2000 পিসি/প্লেট
দাম:আলোচনাযোগ্য
প্যাকেজিংয়ের বিবরণঃ4000/3000/2000 পিসি/প্লেট
ডেলিভারি সময়ঃ৫-৭ দিন
অর্থ প্রদানের শর্তাবলী:টি/টি, পেপাল, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন
সরবরাহের ক্ষমতাঃ1000000PCS/মাস
প্রশ্ন 1: এসএমডি ভারিস্টর কি?
A1:এসএমডি ভেরিস্টর হল একটি পৃষ্ঠ-মাউন্ট ভেরিস্টর যা ক্ষণস্থায়ী ওভারভোল্টেজ থেকে সার্কিটগুলি রক্ষা করতে বা ইএমআই / আরএফআই গোলমাল দমন করতে ব্যবহৃত হয়।
প্রশ্ন ২ঃ এসএমডি ভারিস্টরের ব্যবহার কি?
A2:এসএমডি ভারিস্টর ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স, অটোমোটিভ, টেলিকম, মেডিকেল, আলোকসজ্জা এবং অন্যান্য অনেক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহার করা যেতে পারে।
প্রশ্ন ৩ঃ এসএমডি ভারিস্টরের ব্র্যান্ড নাম কি?
A3:এসএমডি ভ্যারিস্টরের ব্র্যান্ড নাম লিন কুন।
প্রশ্ন ৪ঃ এসএমডি ভেরিস্টরগুলির কী কী সার্টিফিকেশন রয়েছে?
A4:এসএমডি ভেরিস্টরগুলির ইউএল, ভিডিই, সিএসএ শংসাপত্র রয়েছে।
Q5: SMD Varistors এর জন্য ন্যূনতম অর্ডার পরিমাণ কত?
A5:এসএমডি ভেরিস্টরগুলির জন্য ন্যূনতম অর্ডার পরিমাণ 4000/3000/2000 পিসি/প্লেট।
ব্যক্তি যোগাযোগ: Ms. Huang
টেল: 13423305709
